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실리콘 질화물

4편의 한국어 분석 — 최신순으로 정렬했어요

물리학발표 2026.10· 1최근 1년 1회

가시광 양자 포토닉을 위한 저손실 실리콘 질화물 플랫폼

대규모 포토닉 양자 컴퓨팅 구현을 위해서는 초저손실과 더불어 빠르고 저전력이며 낮은 이력 현상과 낮은 혼선 재구성 기능을 갖춘 집적 회로가 필수적입니다. 특히 단일 광자원 및 양자 메모리 등 많은 양자 자원 상태 생성기가 작동하는 가시광 영역에서는 이러한 요구 사항을 충족하기가 매우 어렵습니다. 저구속 실리콘 질화물 도파관은 필요한 손실 성능을 제공하지만, 기존의 열광학 변조기는 상당한 정적 전력을 소모하여 열적 혼선을 유발하고 극저온 작동을 방해합니다. 가시광 영역의 압전-광기계 회로는 이러한 단점을 피할 수 있지만, 기존 연구…

재료공학발표 2026.10· 1최근 1년 1회

가시광선 투과형 실리콘 질화물 Mie-Void 메타표면

기존 Mie-void 메타표면은 주로 반사 모드에서 개발되었으며, 고굴절률 매질 내 서브파장 공극이 국소 공명 및 스펙트럼 선택적 광학 반응을 유도했습니다. 본 연구에서는 가시광선 영역에서 작동하는 실리콘 질화물(SRN) 플랫폼을 활용하여 투과 모드 Mie-void 메타표면을 처음으로 소개합니다. 공극을 기판 위 유한한 박막에 배치하는 것은 단순한 기하학적 변화를 넘어, 슬랩 유도 및 패브리-페로(Fabry–Pérot) 유사 기여가 Mie-void 반응과 혼성화되는 복합적인 현상을 발생시킵니다. 엄밀한 결합파 분석(RCWA) 결과…

재료공학발표 2026.09· 0

고내구성 Sb2Se3 광 스위치 개발

이 연구는 실리콘 질화물(Si3N4) 플랫폼에 통합된 상변화 물질(PCM) Sb2Se3 기반의 전기 구동식, 저손실 비휘발성 광 스위치에 대해 보고한다. 본 소자는 8인치 웨이퍼 스케일 공정 흐름을 사용하여 제작되었으며, 광 집적 회로(PIC)의 확장 가능한 제조 가능성을 입증하였다. 적응형 전압 및 투명 인듐 주석 산화물(ITO) 마이크로히터를 활용하여 비정질 및 결정질 상태 간의 가역적 스위칭이 1억 4천만 회 이상의 스위칭 주기 동안 달성되었다. 이는 비휘발성 집적 포토닉 메모리 및 재구성 가능한 아키텍처를 위한 새로운 벤치…

전기·전자발표 2026.06· 3최근 1년 3회

광 집적회로의 하이브리드 비선형 효과

광 집적회로에서 비선형 광학 현상은 주로 단일 재료 플랫폼의 비선형성을 활용합니다. 본 연구는 두 가지 재료에서 발생하는 하이브리드 광학 비선형성을 시연하며, 실리카 클래딩 실리콘 질화물(Si3N4) 미세 공진기에서 라만 산란과 커 주파수 빗 생성의 결합 현상을 관찰했습니다. 실리카 클래딩은 라만 이득을 제공하고, Si3N4 코어는 주파수 빗 생성을 위한 커 비선형성을 제공합니다. 이를 통해 기존에 충분한 라만 이득 부족으로 관찰되지 않았던 라만 산란이 집적 실리콘 질화물 광자 플랫폼에 도입되었습니다. 실리카 클래딩 Si3N4 …

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