고내구성 Sb2Se3 광 스위치 개발
이 연구는 실리콘 질화물(Si3N4) 플랫폼에 통합된 상변화 물질(PCM) Sb2Se3 기반의 전기 구동식, 저손실 비휘발성 광 스위치에 대해 보고한다. 본 소자는 8인치 웨이퍼 스케일 공정 흐름을 사용하여 제작되었으며, 광 집적 회로(PIC)의 확장 가능한 제조 가능성을 입증하였다. 적응형 전압 및 투명 인듐 주석 산화물(ITO) 마이크로히터를 활용하여 비정질 및 결정질 상태 간의 가역적 스위칭이 1억 4천만 회 이상의 스위칭 주기 동안 달성되었다. 이는 비휘발성 집적 포토닉 메모리 및 재구성 가능한 아키텍처를 위한 새로운 벤치…